下一個(gè)造富機(jī)會(huì)
這些年，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮中，有幸目睹了一些生活和工作中接觸的高知人士，
通過(guò)5-8年的努力，完成公司上市或者成為上市公司高管。實(shí)現(xiàn)越級(jí)發(fā)展。
感嘆機(jī)會(huì)到處都是，都是留給那些愛折騰的精英人士的。
下一個(gè)十年的批量造富機(jī)會(huì)：半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化替代，就材料和設(shè)備兩項(xiàng)，就能造富無(wú)數(shù)。
半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化率：
1）材料：目前我國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化仍存在挑戰(zhàn)，如12 英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率僅為10%，光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%，電子氣體國(guó)產(chǎn)化率為15%，是電子化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化率為10%（G3 及以上）。
2）設(shè)備：根據(jù)沙利文&頭豹數(shù)據(jù)，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升，刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、CMP 拋光設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率位于10%-30%之間，熱處理設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率位于30%-40%之間，去膠機(jī)國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到80%以上；光刻、量/檢測(cè)設(shè)備、離子注入設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍較低，處于5%以下
通過(guò)5-8年的努力，完成公司上市或者成為上市公司高管。實(shí)現(xiàn)越級(jí)發(fā)展。
感嘆機(jī)會(huì)到處都是，都是留給那些愛折騰的精英人士的。
下一個(gè)十年的批量造富機(jī)會(huì)：半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化替代，就材料和設(shè)備兩項(xiàng)，就能造富無(wú)數(shù)。
半導(dǎo)體各環(huán)節(jié)的國(guó)產(chǎn)化率：
1）材料：目前我國(guó)半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化仍存在挑戰(zhàn)，如12 英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率僅為10%，光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%，電子氣體國(guó)產(chǎn)化率為15%，是電子化學(xué)品國(guó)產(chǎn)化率為10%（G3 及以上）。
2）設(shè)備：根據(jù)沙利文&頭豹數(shù)據(jù)，中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升，刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、CMP 拋光設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率位于10%-30%之間，熱處理設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率位于30%-40%之間，去膠機(jī)國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到80%以上；光刻、量/檢測(cè)設(shè)備、離子注入設(shè)備、涂膠顯影設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍較低，處于5%以下
